Skip to content

Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме Ю. Р. Носов

Скачать книгу Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме Ю. Р. Носов doc

Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме Ю. Полная длительность процесса переключения диода в закрытое состояние называется временем восстановления. Александр Василевский Физические основы вакуумной техники.

PDF, doc, djvu, PDF

Методы исследования точности и надежности схем аппаратуры. Solide-State Electronics,vol. Статические моменты и центр тяжести материальной кривой и плоской. Кинетические свойства полупроводников в сильныхэлектрических полях.

Технологические методы создания четырехслойной структуры 9. В случае генерации неосновных носителей заряда светом при СВЧ-разогреве влияние их на контактную разность потенциалов можно рассматривать как фотоэдс горячих носителей заряда. Форма выходного напряжения на диоде U д зависит от уровня инжекции. Термоэдс в полупроводниках обусловленная горячими носителями тока.

Отрицательное дифференциальное сопротивление в полупроводниках с биполярным механизмом проводимости.